再问一个SSD干货问题

myspam
mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆 2021-11-05 字数 237

为什么NAND颗粒晶体管间距大了会更稳定,寿命更好,原来几十层的TLC现在都100多层的TLC了,感觉比原来一些早期的MLC还要寿命长点

原来都是平面工艺MLC那个年代一堆人说19nm寿命肯定比14nm好,原理是什么

回答干货和提问技术问题一般都没人回,我只是想打破魔咒

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50 个回复
ionlight
izouzou wangwang7 gege8 2021-11-05

间距越大漏电越小啊,能扛更长时间

【 在 myspam 的大作中提到: 】

: 为什么NAND颗粒晶体管间距大了会更稳定,寿命更好,原来几十层的TLC现在都100多层的TLC了,感觉比原来一些早期的MLC还要寿命长点

: 原来都是平面工艺MLC那个年代一堆人说19nm寿命肯定比14nm好,原理是什么

: 回答干货和提问技术问题一般都没人回,我只是想打破魔咒

tsa300
Tele-Superachromat T* 2021-11-06

nand flash是用浮动栅极的氧化层锁住电子来保持数据,制程越细密,氧化层越薄,里面锁的电子当然也少,所以随着制程演进,擦写寿命是越来越拉胯的

当然比特数还在增加,SLC MLC TLC QLC ,这个是数量级拉胯的

【 在 myspam 的大作中提到: 】

: 为什么NAND颗粒晶体管间距大了会更稳定,寿命更好,原来几十层的TLC现在都100多层的TLC了,感觉比原来一些早期的MLC还要寿命长点

: 原来都是平面工艺MLC那个年代一堆人说19nm寿命肯定比14nm好,原理是什么

: 回答干货和提问技术问题一般都没人回,我只是想打破魔咒

myspam
mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆 2021-11-06

那现在那些100多层的TLC是不是寿命基本也追上,原来的MLC了,因为我原来买的固态都根本没有TBW寿命参数,新的固态就全有这参数了

【 在 tsa300 的大作中提到: 】

: nand flash是用浮动栅极的氧化层锁住电子来保持数据,制程越细密,氧化层越薄,里面锁的电子当然也少,所以随着制程演进,擦写寿命是越来越拉胯的

: 当然比特数还在增加,SLC MLC TLC QLC ,这个是数量级拉胯的

tsa300
Tele-Superachromat T* 2021-11-06

层数对寿命没帮助

【 在 myspam 的大作中提到: 】

: 那现在那些100多层的TLC是不是寿命基本也追上,原来的MLC了,因为我原来买的固态都根本没有TBW寿命参数,新的固态就全有这参数了

myspam
mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆 2021-11-06
myspam
mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆 2021-11-06

漏电多,是不是要更多次写入数据,防止它电子太少(丢数据)啊? 是间接的让寿命变差吧

【 在 ionlight 的大作中提到: 】

: 间距越大漏电越小啊,能扛更长时间

myspam
mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆 2021-11-06

从新回复一下,层数多了同样一个NAND芯片,每个存数据的空间就大了一点点,肯定寿命更好啊

反正网上看到很多介绍,有很多直接或间接就说了层数多的寿命优势,当然主要是为一个NAND颗粒容量更大

【 在 tsa300 的大作中提到: 】

: 层数对寿命没帮助

tsa300
Tele-Superachromat T* 2021-11-06

和层数没关系,和制程有关系

只是同样的容量,同样的pcb面积,层数高的可以用更粗的制程。从这个角度上说可以提高擦写寿命,但起作用的是制程

【 在 myspam 的大作中提到: 】

: 从新回复一下,层数多了同样一个NAND芯片,每个存数据的空间就大了一点点,肯定寿命更好啊

: 反正网上看到很多介绍,有很多直接或间接就说了层数多的寿命优势,当然主要是为一个NAND颗粒容量更大

myspam
mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆 2021-11-06

原来是这样导致寿命好的啊,那现在的NAND颗粒的制程和CPU的那些14nm制程差别大吗

【 在 tsa300 的大作中提到: 】

: 和层数没关系,和制程有关系

: 只是同样的容量,同样的pcb面积,层数高的可以用更粗的制程。从这个角度上说可以提高擦写寿命,但起作用的是制程

tsa300
Tele-Superachromat T* 2021-11-06

现在nand颗粒基本都是14nm的

三星960pro用的40nm MLC颗粒

【 在 myspam 的大作中提到: 】

: 原来是这样导致寿命好的啊,那现在的NAND颗粒的制程和CPU的那些14nm制程差别大吗

myspam
mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆 2021-11-06

那为什么14nm的NAND颗粒寿命感觉比原来19nm还要好,现在1T的固态基本都是600TBW寿命以上,这600还是保修的寿命,实际寿命应该比1000TBW还要高吧

【 在 tsa300 的大作中提到: 】

: 现在nand颗粒基本都是14nm的

: 三星970pro用的40nm MLC颗粒

tsa300
Tele-Superachromat T* 2021-11-06

多加点儿冗余颗粒

【 在 myspam 的大作中提到: 】

: 那为什么14nm的NAND颗粒寿命感觉比原来19nm还要好,现在1T的固态基本都是600TBW寿命以上,这600还是保修的寿命,实际寿命应该比1000TBW还要高吧

conn
conn 2021-11-06

更好的纠错算法,允许更高的误码率

【 在 myspam (mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆) 的大作中提到: 】

: 那为什么14nm的NAND颗粒寿命感觉比原来19nm还要好,现在1T的固态基本都是600TBW寿命以上,这600还是保修的寿命,实际寿命应该比1000TBW还要高吧

myspam
mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆 2021-11-06

嗯,看过一些参数,用好算法比普通U盘算法寿命一下强了10倍

【 在 conn 的大作中提到: 】

: 更好的纠错算法,允许更高的误码率

iMx
围城 2021-11-07

是的,那些有冷数据降速问题的ssd,后来都是后台刷新冷数据,用寿命换性能

【 在 myspam (mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆) 的大作中提到: 】

: 漏电多,是不是要更多次写入数据,防止它电子太少(丢数据)啊? 是间接的让寿命变差吧

myspam
mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆 2021-11-07

NVME的固态听说冷数据问题好非常非常多,NVME固态是怎么解决这问题的? 按说都是差不多的NAND颗粒啊,应该一样啊.

【 在 iMx 的大作中提到: 】

: 是的,那些有冷数据降速问题的ssd,后来都是后台刷新冷数据,用寿命换性能

iMx
围城 2021-11-07

西数NVME一样爆这个问题,不觉得好多少

【 在 myspam (mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆) 的大作中提到: 】

: NVME的固态听说冷数据问题好非常非常多,NVME固态是怎么解决这问题的? 按说都是差不多的NAND颗粒啊,应该一样啊.

myspam
mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆 2021-11-07

三星的NVME没有这问题吗?

【 在 iMx 的大作中提到: 】

: 西数NVME一样爆这个问题,不觉得好多少

myspam
mys/梅艳珊/珊珊/Pam/帕姆 2021-11-11

后来我仔细一想, 那同样是14nm TLC QLC会保存电荷位置的大小不一样吗?

【 在 tsa300 的大作中提到: 】

: nand flash是用浮动栅极的氧化层锁住电子来保持数据,制程越细密,氧化层越薄,里面锁的电子当然也少,所以随着制程演进,擦写寿命是越来越拉胯的

: 当然比特数还在增加,SLC MLC TLC QLC ,这个是数量级拉胯的