功率电子器件研究工程师招聘

GaN器件研发工程师

岗位职责

1.GaN功率器件结构设计、模拟仿真和版图设计；

2.器件工艺开发；

3.器件新工艺的工艺标准、检验标准的编制、修订和培训；

4.器件工艺优化，以提高生产效率和产品质量。

任职要求

硕士及以上学历，半导体或微电子相关专业；

有GaN HEMT 芯片工艺经验，良好的管理能力、沟通能力和分析解决问题的能力；

工作积极主动、认真负责，有良好的团队合作精神；

熟悉ISO9001:2008 、ISO14001:2004、 GB/T28001-2011的相关内容；

参与过已量产的Si衬底上GaN HEMT芯片产品研发或生产优先。

薪资范围：15-20K

分立器件资深设计工程师

岗位职责

1. 搭建并完善分立器件的工艺平台和产品设计，按时完成部门的研发工作；

2.结合市场需求，设计开发新一代分立器件产品，持续推进分立器件的研发工作；

3.给予新进工程师技术指导，提升设计团队技术能力。

4. 进行产品上市后的销售跟踪、服务，了解产品的销售反馈，为产品策略调整及下一步产品发展提供依据；

任职要求

全日制本科及以上学历，微电子、电子工程等相关专业；

5年以上半导体行业工作经验，至少3年分立器件设计经验；有低压Trench MOS工艺经验优先；

有较强的分立器件设计能力，能独立完成分立器件设计、失效分析等工作。

具有良好的半导体物理基础，扎实的半导体器件知识功底，熟悉半导体工艺制造，封装及器件应用原理；

能熟练使用仿真软件，版图设计软件；

熟悉DOE，能熟练运用风险评估方法。

薪资范围：15-20K

功率器件产品开发工程师

岗位职责

1.进行MOSFET, IGBT, FRD等功率半导体的器件及工艺仿真,版图设计和工艺流程制定；

2.器件封装，测试，特性及失效分析；

3.工艺和设计方案优化，提高产品性能及良率；

4.竞品分析。

任职要求

全日制本科及以上学历，功率半导体相关专业；

3年（含）以上相关工作经验，熟悉MOSFET，IGBT, FRD等功率半导体的产品开发流程；

具有Wafer Fab实际经验和MOSFET，IGBT, FRD等功率半导体产品的实际开发/生产经验；

熟悉版图设计(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation)更佳；

具有主动沟通能力及团队协作能力。

薪资范围：15-23K

功率模块工艺工程师

岗位职责

1、制定新产品工艺开发的计划及实施方案；

2、负责新产品的工艺路线设计等；

3、负责新产品的芯片选型、材料选择、零件设计及进料检验规范设计；

4、设计变更方案的工艺设计与实施；

5、产品良率维护和转产；

6、进行工艺改善；

7、协助模块产品的失效分析；

任职要求

1、全日制本科及以上学历，电力电子、半导体或相关专业，其它备选专业：机械、机电一体、力学、材料学；

2、2年以上相关工作经验；

3、熟练应用AUTOCAD、Solidworks等；

4、对新产品的研发和应用等具有较强的专业开发能力；良好的英语听说读写能力；

5、具有较强的学习能力、创新能力、沟通协调能力和团队协作能力；

6、德才兼备，求真务实，开拓创新；综合素质高，有良好的个人品质。

薪资范围：13-20K

技术支持工程师：

岗位职责

1. 配合销售团队进行技术支持，Design in /Win；

2. 制定、整理技术支持相关文档；

3. 从市场需求角度，对产品研发提供产品建议；

4. 了解技术动向，竞争对手信息并向营销部提供反馈；

任职要求

1.大专及大专以上学历；

2. 3年以上电子元器件技术行业背景；

3. 熟悉电源、变频器等设备；

4. 熟悉电子元器件、电子线路原理图；

5. 熟练操作word,excel,PPT等办公软件；

6. 有责任感，进取心，认可奋斗分享的价值观。

薪资范围：10-15K

工作地点：深圳/上海待定

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